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耐高压、容量大就选富士IGBT!

2024-01-05 上午 11时13分56秒 星期五

  想必大家都知道,我国的航天事业采用了许多机电元件,而作为基点行业晶体元件的“五代机元件”,富士智能IGBT模块,你了解多少呢?

  富士智能IGBT模块(绝缘栅双极晶体管)已经发展到第五代,性能不是一般般的先进哦。与传统产品相比较,它最最突出的两项厉害本领就是:耐高压、大容量。为了获得这两样“先进能力”,设计师们可没少花功夫哦。那我们就来看看IGBT在构造上有什么不同一般的亮点呢:

  亮点一,是采用FZ晶片。近几年来,由于机电元件并列使用的大量提高始的外延片难以满足大容量化要求,而通过采用FZ晶片,能够获得很薄的晶片厚度,产生低通态电压。

  亮点二,采用FS构造。由于应用了FZ晶片,这款智能模块得以轻松设置维持电压的缓冲层,摒弃传统的生命期控制技术,实现了比传统元件更先进的低通态电压特性。

  亮点三,表面沟漕技术。IGBT比传统产品更加注重精细化,测试表明,在SI表面开漕的IGBT沟漕技术,破解了以往表面化构造细微化的技术屏障,从而使产品特性得到很好的改善。

  除了这些,IGBT还有许多优越之处,这里不一一例举,总之,长江后浪推前浪,第五代就是第五代,先进性能不可否认。

  做为在这个行业中的发烧友,你是不是还在使用双极型功率晶体管模块和功率MOSFET呢?但请问高耐压、大容量元件这两个问题怎么解决?想不通?那不妨来看看上海萱鸿电子有限公司的富士智能IGBT模块系列产品吧!

  以上就是关于富士IGBT的相关内容,如有疑问可咨询上海寅涵智能科技有限公司

本文链接:http://dglt168.51sole.com/companynewsdetail_171385949.htm

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